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长鑫科技冲刺科创板IPO

2025-12-31 14:30:12

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【导语】近日,存储芯片龙头长鑫科技正式递交招股书拟冲刺科创板,募资295亿元巩固行业地位。作为全球DRAM产能第四大厂商,其近三年营收复合增长率达72%,已实现全世代产品迭代,多项产品性能跻身国际前列,专利数量居全球前列,募资将用于技术升级与产能优化,推动中国半导体产业升级。

长鑫科技冲刺科创板IPO

近日,中国存储芯片领军企业长鑫科技集团股份(fèn)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)(以(yǐ)下(xià)简(jiǎn)称(chēng):长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì))正(zhèng)式(shì)向(xiàng)上(shàng)海(hǎi)证(zhèng)券(quàn)交(jiāo)易(yì)所(suǒ)递(dì)交(jiāo)招(zhāo)股(gǔ)书(shū),拟(nǐ)登(dēng)陆(lù)科(kē)创(chuàng)板(bǎn),开(kāi)启(qǐ)资(zī)本(běn)市(shì)场(chǎng)新(xīn)征(zhēng)程(chéng)。据(jù)了(le)解(jiě),长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì)此(cǐ)次(cì)IPO募(mù)资(zī)295亿(yì)元(yuán),将(jiāng)进(jìn)一(yī)步(bù)巩(gǒng)固(gù)其(qí)行(xíng)业(yè)竞(jìng)争(zhēng)力(lì)。

长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì)成(chéng)立(lì)于(yú)2016年(nián),采用(yòng)IDM(垂(chuí)直(zhí)整(zhěng)合(hé)制(zhì)造(zào))业(yè)务(wu)模(mó)式(shì),专(zhuān)注(zhù)于(yú)动(dòng)态(tài)随(suí)机(jī)存(cún)取(qǔ)存(cún)储(chǔ)器(qì)(DRAM)领(lǐng)域。根(gēn)据(jù)Omdia数(shù)据(jù),按(àn)产(chǎn)能(néng)和(hé)出(chū)货(huò)量(liàng)统(tǒng)计(jì),长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì)在(zài)DRAM厂(chǎng)商(shāng)中(zhōng)位(wèi)居(jū)全球(qiú)第(dì)四(sì)。

财(cái)务(wu)数(shù)据(jù)方(fāng)面(miàn),招(zhāo)股(gǔ)书(shū)披(pī)露(lù),2025年(nián)1~9月公司营收达320.84亿元,2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元;2022年至2024年主营业务收入复合增长率达到72.04%,展现出强劲的增长势头。

产品布局上,长鑫科技构建了覆盖DDR、LPDDR两大主流系列的多元化产品矩阵,已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全世代产品迭代,广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等核心市场。其中,2019年推出的8Gb DDR4产品实现中国DRAM产业"从零到一"的突破;LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps,较上一代提升66%;首款国产DDR5产品速率达8000Mbps、单颗最大容量24Gb,同步布局全场景七大模组,性能跻身国际领先水平。

研发投入上,2022年至2025年上半年,公司累计研发投入达188.67亿元,占累计营业收入的33.11%。截至2025年6月30日,公司累计拥有5589项专利,其中境内专利3116项、境外专利2473项,2023年国际专利申请公开数量全球排名第22位,2024年美国专利授权排名全球第42位(中国企业中第四)。

此次募资将重点用于DRAM业务的技术升级与产能优化,助力公司在全球DRAM市场竞争中进一步扩大优势,推动中国半导体产业高质量发展。


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